-
1 gate-insulator breakdown
English-Russian dictionary of modern telecommunications > gate-insulator breakdown
-
2 gate-insulator breakdown
English-Russian dictionary of microelectronics > gate-insulator breakdown
-
3 gate-insulator breakdown
English-Russian dictionary of Information technology > gate-insulator breakdown
-
4 gate-insulator breakdown
1) Телекоммуникации: пробой между затвором и диэлектриком2) Электроника: пробой изоляции затвораУниверсальный англо-русский словарь > gate-insulator breakdown
См. также в других словарях:
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия